雖然目前來看，下一代芯片普遍依然采用5nm工藝打造，但是廠商卻一直在耗費巨資開發3nm工藝，其中臺積電就表示將要在明年量產3nm工藝。

不過，消息稱臺積電依然選擇FinFET晶體管技術，三星則選擇了GAA技術，并且還成功流片，距離實現量產更近了一步。

據韓媒Business Korea最新報道，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung在8月25日的一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術商業化。

他直言：“我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。”

據悉，GAA是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

根據三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，當時三星預計3nm GAA工藝會在2020年底試產，2021年量產，但現在顯然不能實現這個計劃了。

需要注意的是，有消息稱三星3nm GAA工藝如果拖到2024年量產，將會直接與臺積電2nm競爭，到時候鹿死誰手還猶未可知。

關鍵詞： 三星 3nm GAA工藝 臺積電