日前三星聯(lián)合Synopsys宣布3nm GAA工藝已經(jīng)流片成功 ，這是全球首個(gè)GAA晶體管工藝流片，意義重大。

然而三星并沒有透露3nm GAA工藝何時(shí)量產(chǎn)，這是最關(guān)鍵的部分。

日前有分析師援引高通高管之前的一個(gè)表態(tài)，認(rèn)為2023年才會(huì)有3nm GAA工藝的芯片問世，但更現(xiàn)實(shí)的時(shí)間點(diǎn)是2024年，也是說要到3年后才能量產(chǎn)。

三星早在2019年公布3nm GAA工藝的PDK規(guī)范時(shí)就表示，預(yù)計(jì)3nm GAA工藝會(huì)在2020年底試產(chǎn)，2021年量產(chǎn)——現(xiàn)在來看，三星太樂觀了，3nm GAA工藝跳票了三年時(shí)間。

往好的方面看，3nm工藝用上GAA晶體管技術(shù)之后，變化還是值得期待的，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

壞消息是，三星3nm GAA工藝假如拖到2024年才能量產(chǎn)，那時(shí)候臺(tái)積電的2nm工藝也差不多量產(chǎn)了，同樣用上了GAA晶體管技術(shù)，三星超越臺(tái)積電的愿望恐怕要收到打擊了。

關(guān)鍵詞： 三星3nm GAA 臺(tái)積電 3nm GAA 流片