在今天的年度業(yè)績(jī)說明會(huì)上，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司中微董事長(zhǎng)尹志堯提到該公司正在開發(fā)新一代的刻蝕設(shè)備，可用于5nm以下的邏輯工藝、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品。

中微公司透露，公司積極關(guān)注下游市場(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃并努力爭(zhēng)取各種可能的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，公司的刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)主要客戶端市場(chǎng)占有率不斷提升。

在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶65nm到5nm等先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線上;同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開發(fā)出小于5nm刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。

公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5nm以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。

在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層和128層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

此外，公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足5nm以下的邏輯芯片、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。

2021年，中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入31.08億元，同比增長(zhǎng)36.72%;歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)10.11億元，同比增長(zhǎng)105.49%。

關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體設(shè)備 刻蝕設(shè)備 芯片生產(chǎn) 邏輯芯片