日前清華大學宣布，集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破， 首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管 ，晶體管柵極長度等效0.34nm。

據(jù)清華大學介紹，目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12nm以上，日本中在2012年實現(xiàn)了等效3nm的平面無結型硅基晶體管，2016年美國實現(xiàn)了物理柵長為1nm的平面硫化鉬晶體管，而清華大學目前實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。

為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，本研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導電性能作為柵極，通過石墨烯側向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關，從而實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。

目前全球半導體工業(yè)量產的芯片技術還是7nm、5nm工藝，實驗室中有2nm甚至1nm工藝，那清華大學開發(fā)的0.34nm晶體管有什么意義呢?

IEEE官網(wǎng)上也介紹了這次突破，該研究的資深作者、北京清華大學電氣工程師任天令在采訪中表示，“我們已經(jīng)實現(xiàn)了世界上最小的柵極長度晶體管”。

“在未來，人們幾乎不可能制造小于0.34 nm的柵極長度，”任天令指出，“這可能是摩爾定律的最后一個節(jié)點。”

關鍵詞： 清華大學 物理柵長 平面硫化鉬 研究方面